Litografía de chips de computadora
Por el equipo editorial de Hospimedica en Español
Actualizado el 24 May 2006
Una técnica nueva de litografía de chips de computadora en desarrollo, ha llevado a capacidades de imagenología óptica más allá de lo que se creía posible. Actualizado el 24 May 2006
El Dr. Bruce Smith, un profesor de ingeniería micro-electrónica y director del Centro de Investigación de Nanolitografía en el Colegio de Ingeniería Kate Gleason del Instituto de Tecnología Rochester (RIT; NY, EUA), desarrolló un método llamado litografía de onda evanescente (LOE) que es capaz de visualizar óptimamente desde la geometría del dispositivo semiconductor más pequeño. Yongfa Fan, un estudiante de doctorado en el programa Ph.D. de ingeniería de microsistemas de RIT, realizó imagenologías a 26 nm—un tamaño anteriormente posible solo utilizando longitudes de onda ultravioleta extrema, de acuerdo con el Dr. Smith. Tomando imágenes que están más allá de los límites de la física convencional, este avance ha permitido resolución a menos de un veinteavo de la longitud de onda de la luz visible, añadió.
Este desarrollo sucedió al menos cinco años antes de lo predicho, usando el Mapa de Rutas para Semiconductores de International Technology como una guía, según el Dr. Smith. El mapa de ruta creado por un consorcio de grupos industriales, organizaciones gubernamentales, universidades, fabricantes, y proveedores, evalúa los requerimientos de la tecnología de semiconductores para asegurar los avances en el desempeño de los circuitos integrados para satisfacer necesidades futuras.
"La litografía de inmersión ha presionado los límites de la imagenología óptica”, declaró el Dr. Smith. "La litografía de onda evanescente continúa extendiendo este alcance adecuadamente en el futuro. Los resultados son muy emocionantes cuando pueden ser formadas imágenes que no se suponía que existieran”.
La litografía de onda evanescente es una "tecnología capacitante” permitiendo un entendimiento mejor de cómo los bloques de construcción son creados para dispositivos futuros de microelectrónica y nanotecnología, de acuerdo con el Dr. Smith. El Dr. Smith presentará su estudio en Microlitografía 2006, en un simposio financiado por la Sociedad Internacional de Ingeniería Óptica, el 21 de Febrero de 2006, en San José (CA, EUA).
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Rochester Institute of Technology